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中鎵半導體は招きに応じてIWN 2018に參加

記事のソース:zhongjia  クリック數:2  更新時間:2018-11-23 17:42:44  【印刷】  【クローズド

        現地時間の11月11日~16日に、日本金沢にてThe International Workshop on Nitride Semiconductors 2018 (IWN 2018)を開催し、東莞市中鎵半導體科技有限會社(以下、「中鎵半導體」と略稱)は招きに応じて參加した。

        本窒化物國際セミナーは京都市大學と東京大學が主催し、たくさんの大學、グローバル窒化物業界科學研究機関及び企業など千名以上の専門家、學者、業界のエリートを誘って參加した。會議において、窒化物材料に関する重要な問題を深く検討し、窒化物業界の発展を促進した。2014年ノーベル物理學賞受賞者の名古屋大學の天野浩教授のスピーチは、會議の序幕を開けた(図1)。中鎵半導體は會議のゲストとして、サブ會場で「The Fabrication of High Quality Low Cost Free-standing GaN Substrates and GaN Templates」というレポートを報告し、熱烈な反響を得た(図2)

    會議中、視聴者たちは、中鎵半導體の単結晶GaN製品(図3、4)に対して高い興味をもって、近年、中國のGaN材料の発展及び中鎵半導體で取得した成果を褒めた。今回の會議を通して、中鎵半導體が國際窒化物材料分野のリーディングポジションを確認した。

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図1

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図2

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図3

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図4


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